1. FODM121AR2V
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厂商型号

FODM121AR2V 

产品描述

Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin Mini-Flat T/R

内部编号

3-FODM121AR2V

#1

数量:4885
1+¥3.4872
10+¥2.8513
100+¥1.7436
1000+¥1.347
2500+¥1.1487
10000+¥1.0667
25000+¥1.012
50000+¥0.9915
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:2390
1+¥4.184
10+¥3.199
25+¥2.678
100+¥2.305
250+¥2.045
500+¥1.747
1000+¥1.376
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:3470
1+¥4.2536
10+¥3.2524
25+¥2.7223
100+¥2.3434
250+¥2.0786
500+¥1.7762
1000+¥1.3983
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FODM121AR2V产品详细规格

规格书 FODM121AR2V datasheet 规格书
FODM121AR2V datasheet 规格书
FODM121/124/2701/2705 Series
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
频道数目 1
Input 型 DC
- 隔离电压 3750Vrms
电流传输比(最小值) 100% @ 5mA
电流传输比(最大) 300% @ 5mA
Voltage - 输出功率 80V
电流 - 输出/通道 80mA
电流 - DC正向(If) 50mA
Vce饱和(最大) 400mV
Output 型 Transistor
安装类型 Surface Mount
包/盒 4-SMD, Gull Wing
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4Mini-Flat
输出类型 DC
每个芯片的通道数 1
最大集电极电流 80 mA
最大集电极发射极电压 80 V
最大正向电压 1.4 V
最小正向电压 1 V
最小绝缘电压 3750 Vrms
最大集电极发射极饱和电压 400 mV
最大电流传输比@电流 300 %
最大输入电流 50 mA
最大功率耗散 150 mW
最大反向电压 6 V
工作温度 -40 to 110 °C
标准包装 Tape & Reel
产品种类 Transistor Output Optocouplers
RoHS RoHS Compliant
输入类型 DC
隔离电压 3750 Vrms
电流传输比 300 %
最大正向二极管电压 1.3 V
最大输入二极管电流 50 mA
最高工作温度 + 110 C
最低工作温度 - 40 C
封装/外壳 SMD-4
系列 FODM121
封装 Reel
最大反向二极管电压 6 V
输出设备 NPN Phototransistor
工厂包装数量 2500
供应商封装形式 Mini-Flat
标准包装名称 SOIC
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 110
最小绝缘电压 3750
最大正向电压 1.4
最大功率耗散 150
最大输入电流 50
最大反向电压 6
最大集电极发射极电压 80
最大集电极电流 80
最低工作温度 -40
最大集电极发射极饱和电压 400
最大电流传输比 300
引脚数 4
铅形状 Gull-wing
电流 - 输出/通道 80mA
电流传输比(最小值) 100% @ 5mA
安装类型 Surface Mount
电流传输比(最大) 300% @ 5mA
下的Vce饱和度(最大) 400mV
电压 - 输出 80V
通道数 1
电流 - DC正向(If ) 50mA
电压 - 隔离 3750Vrms
封装/外壳 4-SMD, Gull Wing
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
单位重量 0.005467 oz
电压 - 输出(最大) 80V
Rise / Fall Time (Typ) 3µs, 3µs
供应商设备封装 4-SMD
Current - DC Forward (If) (Max) 50mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ) 1.3V (Max)
其他名称 FODM121AR2VCT
Vf - Forward Voltage 1.3 V
Vr - Reverse Voltage 6 V
If - Forward Current 50 mA
品牌 Fairchild Semiconductor
配置 1 Channel
长度 3.85 mm
身高 2 mm
Pd - Power Dissipation 150 mW

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